dram configuration
该选项允许你设置建立在芯片组基础上的系统的一些特殊属性.如果您不是很熟悉芯片组,最好不要随意修改里面的设置.
memory timing
设定dram的时钟.
选项: auto, 1t, 2t.
cas latency (tcl)
允许您设置cas延迟时间. 该设定的默认值取决于在工厂中所使用的内存.
选项: auto, 3～6.
ras# to cas# delay (trcd)
该项指定了读写同一单元时的ras#到cas#的延时.
选项: auto, 3t～6t.
row precharge time (trp)
该项指定了行预充电时间. 预充电用来激活或者自动刷新同一单元.
选项: auto, 3t～6t.
min ras# active time (tras)
该项指定了最小ras# 激活时间.
选项: auto, 5t～18t.
row cycle time (trc)
该项指定了行周期时间. ras#激活到下一个ras#激活或者是自动刷新同一单元的时间间隔.
选项: auto, 11t～25t.
write recovery time (twr)
该项指定了被三星称为trd1的写恢复时间, 表示最后的写入数据被dram安全寄存的时间. 测量的是从最后一个数据到预充电之间的时间.
选项: auto, 3t～6t.
ras# - to - ras# delay (trrd)
该项指定了不同单元的ras到ras的延时.
选项: auto, 2t～5t.
min. write-to-read delay
该项指定了对于同一区块的写到读之间的最小延时.
选项: auto, 1t～3t.
read-to-write turnaround
该项指定了从第一个读操作的cas到下一个写操作的cas的最小周期数. 要确认在双向脚位上确定没有总线负载可能需要插入一些时间.
选项: auto, 2t～9t.
write-to-read turnaround
该项指定了到达两条不同内存插槽的读写之间的延时.
选项: auto, 0t～3t.
write-to-write timing
该区域指定了第一次突发写操作的虚拟cas的最后一个时钟到下一次改变已开启的终端器的突发写操作的cas的最小周期数.考虑到ddr2设备的终端时间,所以在连续写操作之间要插入一定时间.
选项: auto, 1t～3t.
read-to-read timing
该项指定了第一次突发读操作的虚拟cas的最后一个时钟到下一次选择和第一次突发读操作的不同芯片的突发读操作的cas之间的最小时间周期数. 考虑到(1)转换时间以及(2)终端时间,所以需要在选择不同芯片的连续读操作之间插入一定的时间.
选项: auto, 2t～5t.
refresh rate (tref)
指定了两次刷新动作之间隔的周期数.
选项: auto, 7.8us, 3.9us.
refresh row cycle for dimm1/2/3/4
该项指定了从一个自动刷新命令到一个激活命令或者是另一个自动刷新命令的最短时间.建议根据内存的密度和速度来对这个寄存器变量的填值.
选项: auto, 75ns, 105ns, 127.5ns, 195ns, 327.5ns
burst length for 32 bytes
该项指定了访问内存的突发数据长度,也就是每次访问所交换数据的字节数.
选项: auto, enabled, disabled.
cke drive strength
该项用来选择cke脚位的驱动强度.
选项: auto, increment, decrement.
cs/odt drive strength
该项用来选择cs和odt脚位的驱动强度.
选项: auto, increment, decrement.
addr/cmd drive strength
该项用来指定地址,ras,cas,bank和parity脚位的驱动强度.
选项: auto, increment, decrement.
clock drive strength
该项为memclk脚位选择驱动强度.
选项: auto, increment, decrement.
data drive strength
该项用来选择data脚位的驱动强度.
选项: auto, increment, decrement.
dqs drive strength
选项: auto, increment, decrement.
dqs training control
该项用来选择dqs脚位的驱动强度.
选项: skip dqs, perform dqs.
cke base power down mode
当进入低电状态, 如果和所有内存分页相关联的cke脚位关闭了,那这些部份就会置于低电状态.
只有在预充电的低电状态才支持,动态的低电状态就不支持.
选项: enabled, disabled.
cke base power down
该位的初始化取决于执行系统的样式. 对于非移动系统, 低电模式应该设为由cke通道控制.
选项: per channel, per cs.
memclock tri-stating
当开启vid模式时,使ddr内存的频率为三态. 如果disnbclkramp位(功能3, 偏移地址88h)设定了,则该位无效.
选项: enabled, disabled.
memory hole remapping
开启以支持4g内存空间.
选项: enabled, disabled.
auto optimize bottom io
当核心层分配了pci资源,该项将自动设定最优最大的内存空间.
选项: enabled, disabled.
bottom of uma dram [31:24]
设定uma内存地址的底部.
选项: 0000～00fc.
ldt & pci bus control
导航条移动到ldt & pci bus control并且按下[enter]键.就会出现以下画面:
ldt configuration
该项开启/关闭ldt配置.
选项: enabled, disabled.
upstream ldt bus width
该项设定上行的ldt总线位宽.
选项: 8 bit, 16 bit.
downstream ldt bus width
该项设定下行的ldt总线位宽.
选项: 8 bit, 16 bit.
ldt bus frequency
该项设定cpu的ht总线的频率.
选项: auto, 1ghz, 800mhz, 600mhz, 400mhz, 200mhz.
pcie reset delay
选项: enabled, disabled.
pcie configuration
我们建议您保留默认值.