dual slot configuration(双插槽配置)[rs690系列芯片不支持此功能]
如果组建ati crossfire系统，在正确安装好显卡之后需要把此选项开启，使用单显卡则必须关闭。
可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)
gfxo link width(pe1槽显卡带宽设置)
可调整显卡pcie接口的带宽，最高支持pciexl6模式。
主意；rd480系列芯片的主扳必须把独立显卡安装在pel槽，同时在pe3槽上安装附送的pcie子卡。而当组建ati crossfire系统时必须调整为x8。
gfx1 link wldth(pe3槽显卡带宽设置)[rs690系列芯片不支持此功能]
必须在dual slot configuration功能打开之后才能选择，组建ati crossfire系统要设x8模式。
jma frame buffer size(uma帧缓存尺寸)[rd480系列芯片不支持此功能]
设置板载vga核心共享内存的大小，有32m/64m/128m/256m选择，默认为recommended(推荐)，依据总容量内存大小来自动进行分配。
vldleo display devlces(视频显示设备)[rd480系列芯片不支持此功能]
rs690系列芯片支持vga/dvi同时输出，可实现双头显示，可根据实际情况设定使用的显示设备类型，达到优化显示效果目的。
tv standard(电视制式标准)[rd480系列芯片不支持此功能]
设定所使用电视机使用的制式标准，如果不确定，可向电视机供应商咨询，一般情况下默认即可。
gystem bios cacheable(系统bios缓冲)
打开时能将系统bios从rom芯片映射到主内存中，事实上操作系统极少需要读取系统bios，这样做不仅不能加速系统速度，反而要占用主内存空间，浪费资源，降低系统效率，应将其关闭。
可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)
dram configuration (内存设置选项)
memory hole remapping(内存孔洞重映射)
这个参数可以重新映射地址高于ooeo的物理内存(仅在64位操作系统中有效)。
可选项：disabled(关闭),enabled(开启)
auto optimize bottom io(自动优化bottom io)
64位cpu搭配64位操作系统需要使用此参数，作用在于以自动优化的方式把32位内存地址重新映射到高于ooeo的内存空间。只有在64位操作系统下，这个参数才有效 。
可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)
(casl)cas# latency(内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间)指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到cpu的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。
设定值有：[auto]，[cl=3]，[cl=4]，[cl=5]，[cl=6]
dram command rate(首命令延迟)
指在p-bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的l-bank/行激活命令，单位是时钟周期。显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。
设定值有：[1t]，[2t]。
ddrii timing ltem(ddr2内存时序项目)
此项可以细致调整内存访问周期，但设置错误可能导致系统出现严重不稳定状况，不建议改动。
可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)
twtr command delay(写至读命令延迟)
这个参数使ddr内存同一个bank上最后一个成功写操作和下一条读指令之间的时钟周期缩至最短。该参数对内存带宽和稳定性影响都很小。
设定值有：[1 bus clocks]，[2 bus clocks]，[3 bus clocks]。
trfco for dimm0/1/2/3(dimm0/1/2/3插槽上的行刷新周期时间)
设置按行地址刷新周期。此刷新周期以短为佳，当然也受制于内存芯片物理性能。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。在这里可以单独设置每一条内存插槽上的行刷新周期时间以适应不同规格/品质的内存。
设定值有：[75ns]，[105ns]，[127。5ns]，[195ns)，[327。5ns]。
(twr)write recovery time(写恢复时间)
内存完成一次写操作之后需要一定时间来恢复，这就是预充电。这个参数就是设置在完成写操作后到激活内存预充电之前的延迟时间。此延迟是能够保证写缓冲中的数据可以在预充电之前写到内存中。该参数对内存带宽和稳定性影响都很小。
设定值有：[3 bus clocks]，[4 bus clocks)，[5 bus clocks]，[6 bus clocks]
(trtp)precharge time(预充电时间)
预充电参数就是规定dram充电需要的时间。预充电参数越小则内存读写速度就越快。必须注意到如果设定的时间太短，dram在刷新前没有足够时间给ras积累电量，刷新过程则可能无法完成而且dram无法保持数据。如果充电时间过长又影响速度。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。
设定值有：[2 clocks]，[3 clocks]。
(trc)row cycle time(行周期时钟)
代表内存的行地址完成一个完整周期(从行激活到行的预充电)的最小数值。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。
可选值有：[11 bus clocks]～[26 bus clocks]。
(trcd)ras to cas r/w delay(行寻址至列寻址的写读延迟)
当dram处于写入/读出/刷新时，从cas(column address strobe)脉冲信号到ras (row address strobe)脉冲信号之间延迟的时钟周期数。缩短这个周期数可以提高内存性能，相反则提高其稳定性。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。
设定值有：[3 bus clocks]，[4 bus clocks]，[5 bus clocks]，[6 bus clocks]。
(trrd)ras to ras delay(行至行的延迟)
因为内存读写是以行为单位，行与行之间也会产生延迟。这个参数就是设置延迟时间。该参数对内存带宽和稳定性影响都很小。
设定值有：[2 clocks]，[3 clocks]，[4 clocks]，[5 clocks]。
(trp)row precharge time(行预充电时间)
规定行充电时需要多长时间。预充电参数越小则内存读写速度就越快。如果时间太短，在dram刷新前没有足够时间给ras积累电量，刷新过程可能无法完成而且dram将不能保持数据。如果充电时间过长又影响速度。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。
设定值有：[3 clocks]，[4 clocks]，[5 clocks]，[6 clocks]。
(tras)mlnimum ras active time)(最小行地址激活时钟)
行地址被激活至预充电的最短周期。这个参数决定了pas对一个内存核心进行读写所花费的时间。这个参数也是越小速度越快，同样也受内存物理性能限制。该参数对内存带宽和稳定性影响都很小。
设定值有：[5 bus clock]～[18 bus clocks]。
ldt & pci bus control(ldt和pci总线控制选项)
ldt configuration(ldt总线配置)
ldt总线(lightning data transport，闪电数据传输总线)可以使北桥芯片和南桥芯片之间的数据带宽高达6.4gb/s。更重要的是能够同时为多个芯片组提供高速的连接。并使每个芯片组能与cpu相连，可选择是否手动设置该总线的各项参数。
可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)
upstream/downstream ldt bus width (ldt总线上/下行宽度)
用于设置芯片组之间ldt总线的上、下行带宽。设定值：[8 bit]，[16 bit]。建议保持默认值。
ldt bus frequency(ldt总线频率)
用于设置ldt总线的时钟频率，设定值有：[1ghz]，[800mhz]，[400mhz]，[200mhz]，[auto]。
建议保持默认值。
pcie reset delay(pcie复位信号延迟)
是否允许pcie设备的复位信号延迟。可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)