k8[-]nb ht speed (从cpu到北桥芯片之间hyper transport 总线速度)

    用于设置超传输总线的时钟频率，设定值有：[1x]，[1.5x]，[2x]，[3x]，[4x]，[5x]，[auto]，超传输总线由于cpu和北桥芯片组以及cpu内部通信，超传输总线控制器在cpu内，最高支持1gb的传输速率。bios设置采用倍率表示，基本频率是200mhz，x5就是1gmhz．建议保持默认值。

    k8[-]nb ht wiclth(从cpu到北桥芯片之间hypertransport总线宽度)

    用于设置ht总线与芯片组之间的上、下行带宽。t表示芯片到cpu的ht宽度，而1表示cpu到芯片的ht宽度．设定值：[↓8↑8]，[↓16↑16]。建议保持默认值。

    frame buffer size(帧缓存尺寸)

    设置板载显卡共享内存的大小，有16m/32m/64m/1281d/256m选择，默认为64m

    sse/sse2 instruction (sse/sse2指令)

    决定是否支持intel发布的sse/sse2指令，如果有特定的软件需要这两种指令，可选择打开。

    可选项；disabled(关闭)，enabled(开启)

    system bios cacheable (系统bios缓冲)

    打开时能将系统bios从rom芯片映射到主内存中，事实上操作系统极少需要读取系统bios，

    这样做不仅不能加速系统速度，反而要占用主内存空间，浪费资源，降低系统效率，应将其关闭。

    可选项：enabled，disabled

    dram configuration (内存设置选项)

   

    timing mode(内存时序模式)

    时序模式就是设置内存工作的时序。一般用户设置自动即可。如果想自己手动设置，可以强制内存在一个特定的工作频率上运行，避免出现内存承受不了导致超频失败的情况出现。

    可选项有：

    auto最优化设置，bios将按内存条的spd信息设置。(不建议改动)

    manual可手动设置fsb的频率

    bystem memory frequency (系统内存频率)

    可以通过手动设置内存工作的频率，超频时候必须使用到此功能，如果对计算机不熟悉的用户请勿轻易改动此设置，否则可能导致不可预测的后果。

    dram command rate(首命令延迟)

    指在p-bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的l-bank/行激活命令，单位是时钟周期。

    显然，也是越短越好．但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性．设定值有：[1t]，[2t]。

    memory hole remapping(内存孔洞重映射)

    这个参数可以重新映射地址高于ooeo的物理内存(仅在64位操作系统中有效)．

    可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)

    auto optimize bottom io(自动优化bottom io)

    64位cpu搭配64位操作系统需要使用此参数，作用在于以自动优化的方式把32位内存地址重新映射到高于ooeo的内存空间。只有在64位操作系统下，这个参数才有效。

    可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)

    (casl)cas# latency(内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间)

    指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到cpu的指令后的反应速度，一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。

    设定值有：[auto]，[cl=3]-[cl=6]

    ddrii timing ltem(ddr2内存时序项目)

    此项可以细致调整内存访问周期，但设置错误可能导致系统出现严重不稳定状况，不建议改动。

    可选项：disabled(关闭)，enabled(开启)

    twtr command delay(写至读命令延迟)

    这个参数使ddr内存同一个bank上最后一个成功写操作和下一条读指令之间的时钟周期缩至最短。谈参数对内存带宽和稳定性影响都很小。

    设定值有：[1 bus clocks]，[2 bus clocks]，[3 bus clocks]。

    trfco for dimm0/1/2/3(dimm0/1/2/3插槽上的行刷新周期时间)

    设置按行地址刷新周期。此刷新周期以短为佳，当然也受制于内存芯片物理性能。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。在这里可以单独设置每一条内存插槽上的行刷新周期时间以适应不同规格/品质的内存。

    设定值有：[75ns]，[105ns]，[127.5ns]，[195ns]，[327.5ns]．

    (twr) write recovery time(写恢复时间)

    内存完成—次写操作之后需要一定时间来恢复，这就是预充电。这个参数就是设置在完成写操作后到激活内存预充电之前的延迟时间．此延迟是能够保证写缓冲中的数据可以在预充电之前写到内存中。该参数对内存带宽和稳定性影响都很小。设定值有：[3 bus clocks]~[6 bus clocks]，(trtp)precharge time(预充电时间)

    预充电参数就是规定dram充电需要的时间。预充电参数越小则内存读写速度就越快。必须注意到如果设定的时间太短，dram在刷新前没有足够时间给ras积累电量，刷新过程则可能无法完成而且dram无法保持数据。如果充电时间过长又影响速度。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。设定值有：[2 clocks]，[3 clocks]。

    (trc) row cycle time(行周期时钟)

    代表内存的行地址完成一个完整周期(从行激活到行的预充电)的最小数值，该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。可选值有：[11 bus clocks]~[26 bus clocks]。

    (trcd)ras to cas r/w delay(行寻址至列寻址的写读延迟)

    当dram处于写入/读出/刷新时，从cas(column address strobe)脉冲信号到ras(row address strobe)脉冲信号之间延迟的时钟周期数，缩短这个周期数可以提高内存性能，相反则提高其稳定性。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。

    设定值有：[3 bus clocks]~[6 bus clocks]。

    (tmd)ras to ras delay(行至行的延迟)

    因为内存读写是以行为单位，行与行之间也会产生延迟。这个参数就是设置延迟时间，该参数对内存带宽和稳定性影响都很小。

    设定值有：[2 clocks]~[5 clocks]。

    (trp)row precharge time(行预充电时间)

    规定行充电时需要多长时间。预充电参数越小则内存读写速度就越快。如果时间太短，在dram刷新前没有足够时间给ras积累电量，刷新过程可能无法完成而且dram将不能保持数据。如果充电时间过长又影响速度。该参数对内存带宽和稳定性影响都较大。

    设定值有：[3 clocks]，[4 clocks]，[5 clocks]，[6 clocks]．

    (tras) minimum ras active time)(最小行地址激活时钟)

    行地址被激活至预充电的最短周期。这个参数决定了ras对一个内存核心进行读写所花费的时间。这个参数也是越小速度越快，同样也受内存物理性能限制。该参数对内存带宽和稳定性影响都很小。设定值有：[5 bus clocks]~[18 bus clocks]。