memory configuration / dram timing configuration

    按[enter]键进入子菜单设置。

    以下六项显示的值可在“dram timing mode”中设置。

    cas latency

    此选项控制cas的等待时间，即sdram收到读指令到开始执行指令之间的延迟时间(时钟周期)。

    ras / cas delay

    此选项允许您设置cas和ras 之间的延迟时间(时钟周期)。

    row precharge time

    此选项允许您设置行单元的预充电时间(时钟周期)。

    min active ras

    内存行有效至预充电的最短周期(时钟周期)。

    ras / ras delay

    此选项允许您设置ras和ras的延迟时间(时钟周期)。

    row cycle

    此选项允许您设置行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最短时间(时钟周期)。

    内存参数设置(memory configuration)

   

    bank interleaving

    内存条上的记忆体芯片必须时常被刷新或被访问才能保证正常工作，刷新时会占用时间。bank interleaving可以允许内存条上不同bank的记忆体轮流被刷新。当一个记忆体bank在被刷新时，另一个bank处理数据访问。这样就提高了记忆体的存取性能。该功能仅当连续的地址访问是在不同的bank时才会实现。

    channel interleaving

    双通道模式为现实应用提供了最高的输出。当两个dimm安装的内存是相同容量的就启用双通道模式。如果两个通道的内存速率不同，速率将以最低的为准。

    enable clock to all dimms

    此项用来控制emi(电磁干扰)。

    当关闭此项时，系统将关闭空置dimm插槽的时钟频率以减少emi。

    memclk tristate c3/altvid

    当启用间隔的电压代号模式时，此项用于把内存的时钟频率开启为三态模式。

    memory hole remapping

    此项用来设置内存保留区地址的重映射。

    pci实际上不在意使用哪一个地址，但是习惯上把它们放在32位地址空间的上层。多年前把大容量的内存放进电脑是不可能或不现实的，但是现在是可行的。因此目前内存控制器必须提供方法解决高地址内存被忽略，甚至丢失的问题。比较先进的系统会将3.5-4gb的地址空间的内存映射到4.0-4.5gb的地址空间。内存仅是一批内存单元，它不在意被怎样安置，是内存控制器把地址空间和存储单元联系起来的。

    当然，当你使用能处理大于32位的物理地址的64位（或支持32位物理地址扩展）系统时，此项功能才有效。

    一旦启用此项，在bios里将可看到超过4g的内存。

    dct unganged mode

    dct表示内存控制器。

    “unganged mode”的两个内存控制器分别控制两个信道的内存，每个都是64bit，但因为同时启动，合起来每个周期一样有128bit的数据传输。这不是双信道，也不是单通道，而是两个单通道同时执行。此种模式特别的地方是独立控制两个信道的内存，所以就算两边容量和时序参数都不一样，也能启动相当于双通道的带宽，目前唯一限制是频率要相同，但就算一边插1gb 、另一边插2gb且两条内存的参数完全不同，照样可以启动128bit的带宽。

    “ganged mode”的内存控制器并非传统的一个128bit的单元，而是两个64bit，当两个通道插上完全一样的内存时，就跟一般双信道模式相同，两个信道的内存会在逻辑上成为一体。

    power down enable

    当“power down mode”开启时，如果关闭时钟信号，那么内存将处于省电模式状态。

    power down mode

    对于台式电脑，省电模式应设为“channel”时钟信号控制。当内存控制器侦测到连接于时钟信号的内存没有进程时，内存将进入省电模式。当有进程时，内存将退出省电模式。每个内存信道有两组时钟频率，对于每个信道：

    [channel]时钟信号控制：当所有的片选信号分配的信道空置时，内存将置于省电模式。

    [chip select]时钟信号控制：当没有进程等待片选信号时，内存将置于省电模式。

    dram时钟设置(dram timing configuration)

   

    memory speed mode

    此选项用于启用/禁用通过spd (serial presence detect) 设备设置dram的时序。

    spd设备是一个小型的eeprom (电可擦除可编程只读存储器)，集成在ddr内存模组中。它包含模组的速率，大小，地址模式和多种其他参数等重要信息，从而使主板的内存控制器(芯片组)可以更好地访问内存设备。

    选择[auto]，spd自动启用模式。

    选择[limit]，dram的速度将不会超过“memory speed adjust”选项中列出的特定值。如果spd 值高于“memory speed adjust”的值，它会运行在“memory speed adjust”的速度。

    否则，spd 值就是内存运行的数值。

    选择[manual]，将根据“memory speed adjust”选项的设定值人为选择dram的速度。

    memory speed adjust

    当“memory speed mode”被设置为[limit]或[manual]时，此选项才会显示。设定值有:[400mhz]，[533mhz]，[667mhz]，[800mhz]，[1066mhz]。

    [1066mhz]只有在使用am2+ cpu时才会显示。

    dram timing mode

    当两个dcts(dram controller)在unganged模式被启用时，bios 必须按照顺序初始化每个dct的频率，您也可以手动配置数值。

    设定值有:[auto]，[dct 0]，[dct 1]，[both]。

    [dct 1]，[both]只有在使用am2+ cpu时才会显示。

    cas latency-tcl

    此选项允许您设置内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间(时钟周期)。

    trcd (ras-to-cas delay)

    此选项允许您设置行寻址到列寻址的延迟时间(时钟周期)。

    trp (precharge command period)

    此选项允许您设置内存行地址控制器预充电时间(时钟周期)。

    trtp (internal read to precharge command delay)

    此选项允许您设置内部读取到预充电的延迟时间(时钟周期)。

    tras (active-to-precharge delay)

    此选项允许您设置行内存行有效到预充电的最短时间(时钟周期)。

    trc (active-to-active/auto-refresh command period)

    此选项允许您设置行单元有预充电到激活在内的整个过程所需要的最短时间(时钟周期)。

    twr (write recovery)

    此选项允许您设置写恢复延迟时间(时钟周期)。

    trrd (active-to-active of a different bank)

    此选项允许您设置行单元到行单元的延迟时间(时钟周期)。

    twtr (internal write to read command delay)

    此选项允许您设置最后一次有效的写操作和下一次读操作之间的延迟时间(时钟周期)。

    trwtto (read-to-write turnaround for data，dqs contention)

    这个时间参量保证了读对读数据总线周转。

    twrrd (write to read dimm termination turn-around)

    此选项允许您设置当写入跟随读取到不同的dimm时，这个时间参量占终止的时间(时钟周期)。

    twrwr (write to write timing)

    此选项允许您设置在不同的dimm写入时，这个时间参量占周转的时间(时钟周期)。

    trdrd (read to read timing)

    此选项允许您设置在不同的片选读取时，这个时序参数占周转和终止的时间(时钟周期)。

    trfc0,1 (auto-refresh-to-active/auto-refresh command period)

    此选项允许您设置行单元刷新所需要的时间(时钟周期)。