command rate
1t 下的性能稍好于2t，领先幅度在1%-2%间，这对于狂热的性能追求者来说，是一个不错的可控参数。
command rate 是发生在对内存芯片读写操作之前的，它和内存本身的关系不大，更取决于主板芯片组的设计。和其它时序的单位一样，command rate 的单位为时钟周期。显然也是越短越好。但当随着现在内存向高频率高密度高容量发展，内存控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。t 是时钟周期
dram bank interleaving
选项为enabled 与disabled。
turn on all dimm clocks
选项为enabled 与disabled
timing mode
设置时钟模式。设置值有:[auto] [manual]
auto: bios 将自动侦测dram 时派。
manual: 使用者可在memclock mode 至ddr dq drive strength 栏位中自行设定。
memory clock value or limit
系统内存运行频率，当timing mode 为manual 时可调节内存运行频率。
选项有：auto, 400, 533,667,800
dqs training control
选项为skip dqs 与perform dqs。
dqs training control 是数据选取脉冲控制，它的功能主要用来在一个时钟周期内准确的区分出每个传输周期，并便于接收方准确接收数据。每一颗芯片都有一个dqs 信号线，它是双向的，在写入时它用来传送由北桥发来的dqs 信号，读取时，则由芯片生成dqs 向北桥发送。完全可以说，它就是数据的同步信号。
cke base power down mode
选项为enabled 与disabled。
cke based power down
选项为per channel 与per cs。
memclock tri-stating
选项为enabled 与disabled。
memory hole remapping
s/w memory hole remapping（内存孔洞软件重映射），这个参数可以让软件重新映射地址高于00e0 的物理内存（仅在64 位操作系统中有效）。
设定值有：[disabled], [enabled]。
h/w memory hole remapping（内存孔洞硬件重映射）这个参数可以让硬件重新映射地址高于00e0 的物理内存（仅在64 位操作系统中有效）。设定值有：[disabled], [enabled]。
auto optimize bottom io
选项为enabled 与disabled。
bottom of 32-bit [31:24] io space
此字段用于选择另一个可映射至地址值高于0 0 e 0 的内存。
ddrii timing item
选项为enabled 与disabled.
twtr command delay
选项为reserved, 1 bus clock, 2 bus clocks 与3 bus clocks
trfc0 for dimm0, trfc1 for dimm1, trfc2 for dimm2 与trfc3 for dimm3
这些字段用于选择自动刷新周期时间。
cas# latency
选择cas 延迟时间。
(twr)write recovery time
选择dram 登录最后一笔写入数据后的写入回复时间，即最后一笔写入数据之后的预充电时间。
(trtp)precharge time
选择预充电时间。
(trc) row cycle time
选择ras# 启动或同一bank 自动刷新的时间。
(trcd) ras to cas r/w delay
dram 刷新时，行和列地址分开。此项目用于选择从ras (row address strobe) 到cas (column address strobe)在相同的bank 读写数据时所延迟的时间。设定的周期越短，dram 运行越快。
(trrd) ras to ras delay
选择不同b a n k 的列与列间的延迟时间。
(trp)row precharge time
此项目用于设定row address strobe (ras)的预充电周期。d r a m 刷新前，如果r a s 充电时间设置不够，刷新将无法完成，而且d r a m 也将无法保存刷新内容。
(tras) minimum ras active time
选择ras 从内存读出与写入的最短时间。