系统是否会依据您所设定的超频或超电压值稳定运作，需视整体系统配备而定。不当的超频或超电压可能会造成cpu、晶片组及记忆体的损毁或减少其使用寿命。我们不建议您随意调整此页的选项，因为可能造成系统不稳或其它不可预期的结果。仅供电脑玩家使用。(若自行设定错误，可能会造成系统不开机，您可以清除cmos设定值资料，让bios设定回复至预设值。)
当[system voltage optimized]呈现红字闪烁警示状态时，建议您将[systern voltage control]选项设为[auto]，以维持最佳之系统电压。
(注)此选项仅开放给有支援此功能之处理器。
ht link frequency (ht link频率调整)
此选项提供您调整晶片组及cpu之间的ht link频率。
auto bios自动设定晶片组及cpu之间的ht link频率。(预设值)
200mhz-1 ghz 设定ht link频车为200 mhz-1 ghz。
cpu clock ratio (cpu倍频调整)
此选项提供您调整cpu的倍频：可调整范围会依cpu种类自动侦测：
memory controller freq.(调整cpu内的记忆体控制器频率)(注)
此选项提供您调整cpu内的记忆体控制器频率。可调整范围会依cpu种类自动侦测。
cpu host clock control (cpu时脉控制)
此选项提供您选择是否开启cpu时脉控制功能。请注意，当您执行系统超频而造成不开机时，请等候20秒让系统自动重新开机或清除cmos设定值资料，并以安全模式开机。(预设值：auto)
cpu frequency (mhz) (cpu运作频率显示)
此选项显示目前cpu的运作频车。
pcie clock (mhz) (pci express汇流排时脉调整)
此选项提供您调整pci express汇流排的时脉。可设定范围从100 mh2到200 mhz。
若设为auto，bios会自动将pci express时脉设为标准的100 mh2：(预设值：auto)
vga core clock control(内建显示超时脉功能)
此选项提供您是否开启内建显示超时脉功能。(预设值：disabled)
vga core clock (mhz)(内建显示超时脉调整)
此选项提供您是否调整内建显示超时脉c可设定范围从200 mhz到2000 mhz。
此选项只有在[vga core clock control]设为[enabled]时，才能开放设定。
(预设值：650)
set memory clock
此选项提供您选择是否手动调整记忆体频率。当此选项被设为[manual]时，以下的超频选项将开放为可手动调整。
auto bios自动设定记忆体的频率。(预设值)
manual 使用者可针对记忆体的频率进行调整。
memory clock
此选项只有在[set memory clcok]设为[manual]时，才能被设定。
当您使用am2 cpu：
ddr 400 设定memory clock为ddr 400。
ddr 533 设定memory clock为ddr 533。
ddr 667 设定memory clock为ddr 667。
ddr 800 设定memory clock为ddr 800。
当您使用am2+cpu：
x2.00 设定memery clock为x2.00。
x2.66 设定memery clock为x2.66。
x3.33 设定memery clock为x3.33。
x4.00 设定memery clock为x4.00。
x5.33 设定memery clock为x5.33。
dcts mode(记忆体控制模式)(注)
此选项提供您设定记忆体控制模式。
ganged 设定记忆体控制模式为一个双通道。
unganged 设定记忆体控制模式为两个单通道。(预设值)
(注)此选项仅开放给有支援此功能之处理器。
dram configuration
ddrii timing items
当此选项被设为[manual]时，以下的选项将开放为可手动调整。
选项包括：auto(预设值)、manual。
cas#iatencv
选项包括：auto(预设值)、3t-6t。
ras to cas r/w delay
选项包括：au{o(预设值)、3t-6t。
row precharge time
选项包括：auto(预设值)、3t-6t。
minimum ras active time
选项包括：auto(预设值)、5t-18t。
1t/2t command timing
选项包括：auto(预设值)、1t、2t：
twtr command delay
选项包括：auto(预设值)、1t-3t。
trfc0 for dimm1
选项包括：auto(预设值)、75ns、105ns、127，5ns、195ns、327．5ns。
trfc2 for dimm2
选项包括：auto(预设值)、75ns、105ns、127，5ns、195ns、327．5ns。
trfc1 for dimm3
选项包括：auto(预设值)、75ns、105ns、127．5ns、195ns、327．5ns。
trfc3 for dimm4
选项包括：auto(预设值)、75ns、105ns、127．5ns、195ns、327．5ns。
write recovery time
选项包括：auto(预设值)、3t-6t。
precharge time
选项包括：auto(预设值)、2t、3t。
row cycle time
选项包括：auto(预设值)、11t-26t。
ras to ras delay
选项包括：auto(预设值)、2t-5t。
system voltage optimized
system voltage control(系统超电压设定)
此选项提供您选择是否手动调整系统电压值。当此选项被设为[manual]时，以下的超电压选项将开放为可手动调整。
auto bios自动设定系统所需的电压。
manual 使用者可针对系统电压进行细部微调：(预设值)
southbridge volt control(南桥晶片超电压控制)
此选项提供您针对南桥晶片的电压进行细部微调。
normal 自动提供南桥晶片所需的电压。(预设值)
+0.1v-+0.3v 每0.1v为单位增加南桥晶片电压值，调整幅度为0.1v至0.3v。
sideport mem volt control(内建记忆体超电压控制)
此选项提供您针对内建记忆体的电压进行细部微调。
normal 自动提供内建记忆体所需的电压：(预设值)
+0.1v-+0.3v 以每0.1v为单位增加内建记忆体电压值，调整幅度为0.1v至0.3v。
northbridge volt control(北桥晶片超电压控制)
此选项提供您针对此桥晶片的电压进行细部微调。
normal 自动提供北桥晶片所需的电压。(预设值)
0.200v-+0.300v 以每0.025v为单位增加／减少北桥晶片电压值，调整幅度为-0.200v至0.300v。
ddr2 voltage control(记忆体超电压控制)
此选项提供您针对记忆体的电压进行细部微调。
normal 自动提供记忆体所需的电压。(预设值)
+0.05v-+0.55v以每0.05v为单位增加记忆体电压值，调整幅度为0.05v至0.55v。
增加记忆体的电压有可能会损坏记忆体模组，
cpu nb vid control (cpu超电压控制)(注)
此选项提供您针对cpu内部此桥的电压进行细部微调：可调整的电压范围依不同cpu而有所不同。(预设值：normal，自动提供cpu内部此桥所需的电压)
超电压有可能造成cpu的损坏或减少其使用寿命。
cpu voltage control (cpu超电压控制)
此选项提供您针对cpu的电压进行细部微调。可调整的电压范围依不同cpu而有所不同。(预设值：normal，自动提供cpu所需的电压)
超电压有可能造成cpu的损坏或减少其使用寿命。
normal cpu vcore (cpu正常核心电压)
显示cpu正常核心电压值。
(注)此选项仅开放给有支援此功能之处理器。