ATTENTION:仅当您熟悉芯片组时, 才可以更改这些设定值。
current cpu/ fsb/ dram frequency
此项显示当前cpu时钟和内存速度,只读。
intel eist
改进的intel speedstep技术允许您设定微处理器在电池或交流电源下的性能水平。此项仅在您安装的cpu支持speedstep技术的情况下才出现。
system clock mode
此项允许您设置cpu前端总线频率(单位mhz)。
advance dram configuration(高级dram配置)
按[enter]进入子菜单。
memory timings
此项有容量的自动侦测所有dram时序。如该项设为[manual] ,将出现以下各项为可选项。
tcl(cas latency)
当memory timings 设置为[manual],此项可用。控制cas延迟,决定sdram接受并开始读取指令的延迟时间(在时钟周期内)。
trcd
此项允许您设定在向dram写入,读出,刷新时,从ras (row address strobe)脉冲信号到cas(column address strobe)脉冲信号之间延迟的时钟周期数。时钟周期越短,dram性能越快。
trp
当memory timings 设置为[manual],此项可用。用来控制row address strobe (ras)预充电过程的时钟周期数。如果在dram刷新前没有足够的时间给ras积累电量, 刷新过程可能无法完成而且d r a m 将不能保持数据。此项仅在系统中安装了同步dram才有效。
tras
当memory timings 设置为[manual],此项可用。此项控制cas延迟。决定了sdram接受并开始读取指令后的延迟时间。
command per clock (cmd)
此项控制sdram命令等级。选择[1t] 使sdram单控制器运行在1t (t=clock cycles) 速率下。选择[2t]使sdram单控制器运行在2t速率下。
trrd
当memory timings 设置为[manual],此项可用。在不同的banks中指定 active-to-active延迟。
trc
当memory timings 设置为[manual],此项可用。此行循环时间决定了内存行开始完成一个周期所需要的最小循环时钟数。
twr
当memory timings 设置为[manual],此项可用。最后一次写操作和下一次读操作之间的最小时间间隔,允许感觉线路恢复核心数据。
twtr
当memory timings 设置为[manual],此项可用。最后一次有效写操作和下一次读操作之间的最小时间间隔。允许i / o 在读命令开始前超速感觉线路。
adjust pcie frequency
此项允许您设置pcie频率(单位mhz)。
auto disable dimm/pci frequency(自动关闭dimm/pci频率)
此项用于自动关闭dimm/pci插槽。设为[enabled],系统将从空的dimm/pci插槽移除(关闭)以最小电磁干扰(emi)。
memory/nb voltage
此项允许您调整内存/ 北桥电压。
spread spectrum(频展)
当主板上的时钟震荡发生器工作时,脉冲的极值(尖峰)会产生emi (电磁干扰)。频率范围设定功能可以降低脉冲发生器所产生的电磁干扰,所以脉冲波的尖峰会衰减为较为平滑的曲线。如果您没有遇到电磁干扰问题,将此项设定为[dis abled ] ,这样可以优化系统的性能表现和稳定性。但是如果您被电磁干扰问题困扰,请开启此项,这样可以减少电磁干扰。注意,如果您超频使用,必须将此项禁用。因为即使是微小的峰值漂移(抖动)也会引入时钟速度的短暂突发,这样会导致您超频的处理器锁死。
ATTENTION: 1. 如果您没有任何emi方面的问题,要使系统获得最佳的稳定性和性能,请设置为[disabled]。但是,如果您被emi所干扰,请选择spread spectrum(频展)的值,以减少emi。
2. spread spectrum(频展)的值越高,emi会减少,系统的稳定性也相应的降低。要为spread spectrum(频展)设定一个最合适的值,请参考当地的emi规章。
3. 当您超频时,请关闭spread spectrum(频展),因为即使一个很微小峰值漂移也会引入时钟速率的短暂推动, 这样会导致您超频的处理器锁死。